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晶振技術(shù)術(shù)語(yǔ)

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1、標(biāo)稱頻率:晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率,通常標(biāo)識(shí)在產(chǎn)品外殼上。

2、工作頻率:晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。

3、調(diào)整頻差:在規(guī)定條件下,基準(zhǔn)溫度(25&***mn;2℃)時(shí)工作頻率相對(duì)于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。

4、溫度頻差:在規(guī)定條件下,在工作溫度范圍內(nèi)相對(duì)于基準(zhǔn)溫度(25&***mn;2℃)時(shí)工作頻率的允許偏差。

5、老化率:在規(guī)定條件下,晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對(duì)變化。以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱為年老化率。

6、靜電容:等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容,也叫并電容,通常用C0表示。

7、負(fù)載電容:與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容,通常用CL表示。

負(fù)載電容系列是:8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。

只要可能就應(yīng)選推薦值:10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。

8、負(fù)載諧振頻率(fL):在規(guī)定條件下,晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí),負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè),在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí),則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。

9、動(dòng)態(tài)電阻:串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。

10、負(fù)載諧振電阻:在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。

RL=R1(1+C0/CL)2

激勵(lì)電平可選值有:2***、1***、0.5***、0.2***、0.1***、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等

12、基頻:在振動(dòng)模式***低階次的振動(dòng)頻率。

13、泛音:晶體振動(dòng)的機(jī)械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍,這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動(dòng)有3次泛音,5次泛音,7次泛音,9次泛音等。

 

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